Propriedades eletricas de nanoestruturas de "gaas".

• Processo: 01/01595-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Sérgio Mergulhão
• Beneficiário: Elton Marcio da Silva Santos
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Capacitancia | Gaas | Schottky

Resumo

Sistemas quânticos de baixa dimensão têm despertado bastante interesse nos últimos anos devido às suas peculiares propriedades óticas e eletrônicas, tanto do ponto de vista da física fundamental como das aplicações tecnológicas. Nosso interesse tem se concentrado em superredes de GaAs/AlAs e sistemas de poços quânticos de. InAs auto organizados em GaAs. Nosso objetivo principal tem sido a caracterização elétrica de superredes através da técnica de espectroscopia de capacitância e de corrente elétrica em função da tensão e da temperatura. Estas técnicas permitem estudar o confinamento de elétrons em poços quânticos, obtendo informações sobre a sua localização, densidade e energia de ativação. Neste projeto estamos propondo a caracterização das amostras, utilizando medidas de capacitância em função da tensão para temperaturas desde 8 até 300 graus Kelvin. A derivada da curva C - V fornece a concentração de-portadores presos em função da distância a partir da superfície. Juntamente com estas medidas o aluno realizará medidas de corrente termo estimulada a fim de determinar os parâmetros de confinamento, tais como energia de ativação, seção transversal de captura, densidade de armadilhas e polaridade dos portadores capturados. (AU)