Spintronica: estudos sobre estruturas hibridas e tunelamento eletronico polarizado em spin.

• Processo: 04/08524-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2005
• Data de Término da vigência: 01 de abril de 2008
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adilson Jesus Aparecido de Oliveira
• Beneficiário: José Varalda
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 03/09933-8 - Núcleo de Excelência em Materiais Nanoestruturados Fabricados Eletroquimicamente, AP.PRNX.TEM
• Assunto(s): Spintrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estruturas Hibridas | Juncoes Planares | Magnetorresistencia Tunel | Sistemas Glanulares | Spintronica

Resumo

Dentre os parâmetros necessários para o desenvolvimento da nova spintrônica está o controle eficiente da injeção de portadores polarizados. É altamente desejável que se possa realizar tal feito através de barreiras semicondutoras evitando problemas com as baixíssimas espessuras exigidas por barreiras oxidas isolantes que possuem valores elevados do produto resistência-área. A via do futuro neste ramo da ciência passa sem dúvida pela associação de heteroestruturas constituídas por materiais metálicos e semicondutores combinando a eletrônica tradicional e a eletrônica de spin. Neste contexto, o projeto propõe o estudo de injeção de correntes polarizadas em spin em estruturas do tipo: i) junções planares utilizando eletrodos ferromagnéticos metálicos separados por uma barreira semicondutora e; ii) materiais granulares imersos em matriz semicondutora. Possuímos experiência em tais sistemas adquirida no durante da realização do projeto de doutorado processo FAPESP 00/07249-4. Em vista dos resultados obtidos no referido projeto, propomos modificações em estruturas conhecidas em busca do aumento da eficiência da injeção eletrônica polarizada em spin. Propomos também uma nova configuração de materiais na linha dos sistemas granulares utilizando um semicondutor óxido que possui constante dielétrica alta. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

FERNANDES‚ V.; KLEIN‚ JJ; MATTOSO‚ N.; MOSCA‚ DH; SILVEIRA‚ E.; RIBEIRO‚ E.; SCHREINER‚ WH; VARALDA‚ J.; DE OLIVEIRA‚ AJA. Room temperature ferromagnetism in Co-doped CeO_ {2} films on Si (001). Physical Review B, v. 75, n. 12, p. 121304, 2007. (03/09933-8, 04/08524-0)