Efeito de recozimento termico nas propriedades oticas de pontos quanticos emitindo na faixa espectral de 1,3 a 1,5 micrometros.

• Processo: 03/14062-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2004
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Américo Sheitiro Tabata
• Beneficiário: Eder Arnedo Perassa
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 97/06132-1 - Estudo de propriedades eletroópticas no sistema conjunto GaAs/GaAlAs/InGaAs elaborado por epitaxia por feixe molecular, AP.JP
• Assunto(s): Tratamento térmico Pontos quânticos Fotoluminescência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fotoluminescencia | Pontos Quanticos | Semicondutores Iii-V | Tratamento Termico

Resumo

Neste projeto iremos estudar a emissão ótica de amostras contendo pontos quânticos de InAs/GaAs, especialmente crescidas para emitir na janela ótica de interesse tecnológico de 1,3 micrômetros a 1,5 micrômetros. Estudos preliminares mostram que a emissão ótica destas amostras, consiste em uma larga banda nessa região espectral. Contudo, após ser submetida a tratamentos térmicos, a citada banda torna-se um conjunto de 5 emissões individuais. Estaremos enfocando nossos estudos no efeito dos tratamentos térmicos nessas emissões óticas. Para tanto, estudaremos amostras submetidas à diferentes tratamentos térmicos. Utilizaremos o tratamento isócrono que consiste em aquecer as amostras em diferentes temperaturas, deixando o tempo do tratamento constante. Analisaremos a energia, a intensidade, a largura, a meia altura da emissão de fotoluminescência e à energia de ativação destes picos em função da temperatura de tratamentos térmicos. Tentaremos, posteriormente, criar um mecanismo para a formação de tais picos de fotoluminescência. (AU)