Estudo de filmes finos dos sistema "ba(1-x)sr xtio3".

• Processo: 00/14841-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2001
• Data de Término da vigência: 14 de outubro de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Elson Longo da Silva
• Beneficiário: Ana Paula Fonseca Albers
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14324-0 - Multidisciplinary Center for Development of Ceramic Materials, AP.CEPID
• Assunto(s): Propriedades elétricas Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Filmes Finos | Processo De Cristalizacao | Propriedades Eletricas | Titanato De Bario E Estroncio

Resumo

Os compostos à base de titanato de estrôncio e bário (BST) vêm destacando-se para a produção em massa de memórias DRAM ("dynamic random acess memory") e desde então há uma incessante busca para reduzir custos, aumentar os níveis de integração e melhorar a qualidade do produto, resultando em uma nova geração de memórias DRAM a cada três anos. Os principais candidatos para memórias DRAM (paraelétricos na temperatura de trabalho) são os compostos com estrutura tipo perovisquita, entre eles o (Ba,Sr)TiO3. Neste trabalho propõe-se estudar o processo de cristalização de filmes finos de BST, obtidos pelo método de precursores poliméricos. Também investigar-se-á a influência do teor de Sr (0<x>1) e a utilização de dopantes (Mn, Y e La) no processo de cristalização da fase. Além disso, pretende-se relacionar a influência da cristalização nas propriedades elétricas desses filmes e otimizá-las, buscando aumentar a constante dielétrica e reduzir a corrente de fuga. Os filmes de BST amorfos também serão objetos de estudo, neste caso, serão investigadas suas propriedades elétricas e caracterizados microestruturalmente. (AU)