Filmes finos ferroelétricos de camadas de bismuto para aplicação em DRAMs e FeRAMs a partir do método dos precursores poliméricos

• Processo: 03/00899-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2003
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2006
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: Elson Longo da Silva
• Beneficiário: Alexandre Zirpoli Simões
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14324-0 - Multidisciplinary Center for Development of Ceramic Materials, AP.CEPID
• Assunto(s): Materiais ferroelétricos Dielétricos Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Bi4Ti3012 | Dieletricos | Ferroeletricos | Filmes Finos | Precursores Polimericos | Processamento

Resumo

O desenvolvimento de circuitos integrados, que consumam menos energia, tem atraído grande interesse em indústrias eletrônicas, automobilísticas e aeroespaciais. A maioria destes circuitos integrados utilizam memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FeRAMS) e memória dinâmica de acesso aleatório (DRAMs). Estes dispositivos são empregados em telefones celulares, "notebooks" e cartões inteligentes, devido as suas excelentes propriedades como não volatilidade, rápida leitura e gravação de dados, baixa voltagem de operação e a menor energia despendida no processo operacional. Desta forma, a preparação de materiais que acelerem o processo de leitura e gravação dos dados, vem se mostrando promissora para diminuir o consumo de energia quando comparado ao dispositivo EEPROM que é uma memória exclusiva de leitura, programável e apagável eletricamente que requer dois transistores para armazenamento dos bits. Entre os inúmeros materiais ferroelétricos, o Bi4Ti3O12 que possui estrutura ortorrômbica do tipo perovskita, tem potencialidade para estas aplicações. Portanto, propõe-se estudar a formação de filmes finos ferroelétricos de Bi4Ti3O12 puro e dopados com La em baixas temperaturas, com fase cristalina orientada tendo como precursora solução orgânica de citratos, conhecida como "método dos precursores poliméricos". (AU)