Deposição e caracterização de películas e ligas de silício amorfo microcristalino hidrogenado correlação entre as propriedades ópticas e estruturais

• Processo: 01/02451-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2002
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Adnei Melges de Andrade
• Beneficiário: John Paul Hempel Lima
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Deposição de filmes finos Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Medidas Estruturais | Medidas Opticas | Peliculas De Silicio | Silicio Amorfo Hidrogenado

Resumo

Os objetivos deste projeto são: a) familiarizar-se com os processos de deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado e silício amorfo hidrogenado dopado. b) participar das modificações do sistema PECVD (atual) para o HWCVD. b) caracterizar os filmes depositados e levantar um banco de dados sobre o processo de deposição. c) a partir do banco de dados, realizar simulações de efeitos sobre o filme. c) elaborar parâmetros, visando uma otimização das propriedades e técnicas de obtenção de filmes finos de silício amorfo hidrogenado. (AU)