Crescimento de filmes de SiO2 pelo processo de oxidação térmica seca para aplicação em dispositivos semicondutores

• Processo: 10/07483-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2010
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2011
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcos Massi
• Beneficiário: Daniel de Oliveira Gonçalves
• Instituição Sede: Divisão de Ciências Fundamentais (IEF). Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica Óxido de silício Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Filmes dielétricos | Filmes finos | Microeletrônica | Oxidação térmica | Óxido de silício | Sensor de Pressão | Microeletrônica

Resumo

A obtenção de óxidos de silício de boa qualidade é fundamental tanto para o processo de microfabricação de dispositivos semicondutores quanto para o bom desempenho desses dispositivos. O método mais empregado para o crescimento de filmes de SiO2 é o de oxidação térmica do silício, que será o tema de estudo deste projeto. Para isso, será utilizado um forno de oxidação em temperaturas entre 850 e 1100ºC em atmosfera de oxigênio e os seguintes parâmetros serão variados: o tempo, o fluxo de oxigênio e a temperatura. A qualidade dos óxidos crescidos em diferentes condições experimentais será avaliada em função da taxa de corrosão em solução de KOH e em função das propriedades dielétricas. Com isso, serão determinadas as melhores condições de oxidação para obter filmes de SiO2 com propriedades adequadas para atuar como máscara (baixa taxa de corrosão em solução de KOH) na fabricação de dispositivos e como camada isolante (alta resistividade elétrica) desses dispositivos.