Obtencao da estrutura de perfil de um transistor mos a partir de parametros pspice.

• Processo: 96/08035-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1996
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 1997
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Luciano Mendes Camillo
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores MOSFET Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Mosfet | Pspice | Transistor

Resumo

Neste trabalho deseja-se estudar os parâmetros de simulação analítica normalmente fornecidos pelas fábricas de circuitos integra dos (padrão PSPICE) e com o auxílio de um simulador numérico bidimensional de dispositivos (MÍNIMOS) obter detalhes de estrutura de perfil de transistores MOSFET destas fábricas. (AU)