Reator assistido por plasma de microondas para crescimento de diamante CVD semicondutor

• Processo: 99/03872-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2002
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Evaldo Jose Corat
• Beneficiário: Luís Francisco Bonetti
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia. Universidade São Francisco (USF). Campus Itatiba. Itatiba , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Diamante Filmes finos Micro-ondas Dopagem eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cvd | Diamante | Dopagem | Filmes Finos | Microondas | Semicondutor

Resumo

Este projeto trata do crescimento de diamante obtido por deposição química a partir da fase vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition). O objetivo é o desenvolvimento em um novo reator assistido por plasma de microondas, para aumentar a capacidade de pesquisa instalada no Laboratório de Crescimento de Diamante da Faculdade de Engenharia da Universidade São Francisco. Este tipo de reator tem vantagens sobre os reatores de filamento quente, pois permite o crescimento de filmes mais puros, sem a inclusão de metais provenientes do filamento. Este tipo de reator é mais adequado para aplicações em que filmes de alta pureza são necessários, como filmes para aplicações ópticas ou, em particular, para estudos de dopagem de diamante semicondutor. (AU)