Caracterizacao optica e investigacao do transporte eletrico em filmes finos de gaas dopado com ions terras-raras.

• Processo: 04/02837-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2004
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luis Vicente de Andrade Scalvi
• Beneficiário: Patrícia Corrêa
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Fotocondutividade Terras raras Luminescência Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Arseneto De Galio | Evaporacao Resistiva | Fotocondutividade | Luminescencia | Semicondutores Iii-V | Terras-Raras

Resumo

Este projeto visa a deposição e caracterização de filmes finos de GaAs dopados com Er e/ou Yb pelo processo de evaporação resistiva. A ênfase principal será dada à investigação das propriedades de transporte elétrico em conjunção com as propriedades ópticas, visando a exploração em dispositivos optoeletrônicos. De modo geral é proposta a verificação da incorporação destes íons terras-raras na matriz através de algumas análises estruturais, caracterizações eletro-ópticas e modelagem do processo de condutividade elétrica. O dopante é introduzido na forma de precursores diferentes como óxidos de Er e Yb e cloretos de Er e Yb. O objetivo imediato é a compreensão da forma de incorporação do dopante e sua influência nas características estruturais, ópticas e elétricas. A médio prazo, pretende-se contribuir para a confecção de novos dispositivos optoeletrônicos. (AU)