Producao e caracterizacao eletro-otica em temperaturas baixas de filmes semicondutores.

• Processo: 98/07863-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luis Vicente de Andrade Scalvi
• Beneficiário: Evandro Augusto de Morais
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Fotocondutividade Defeitos Terras raras Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Fotocondutividade | Gaas | Terras Raras

Resumo

O candidato deverá participar de um projeto de produção e caracterização de filmes de semicondutores III - V dopados com íons de terras raras. Porém antes disso deverá ser treinado, realizando experimentos com filmes de AlxGa1-xAs, onde deverá contribuir na compreensão de fenômenos ainda obscuros neste material. A partir disso o candidato se dedicara ao estudo de GaAs dopado com Yb+. Experimentos previstos: fotocondutividade em função do comprimento de onda, absorção ótica, caracterização elétrica a baixa temperatura, decaimento de estados fotoinduzidos. (AU)