Estudo de dinamica de portadores de carga em pocos quanticos tensionados de ingaas/inp.

• Processo: 00/04517-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2000
• Data de Término da vigência: 03 de setembro de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Iikawa
• Beneficiário: Marcelo Kiyoshi Kian Nakaema
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 01/01067-4 - Estudo de sistemas de baixa dimensionalidade, AP.TEM
• Assunto(s): Semicondutores Resolução temporal Heteroestruturas Propriedades ópticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dinamica De Portadores | Heteroestruturas | Propriedades Opticas | Resolucao Temporal | Semicondutores

Resumo

Neste projeto, será estudada a influência da estrutura de banda de energia na dinâmica de portadores de carga em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP. As amostras são séries de poços quânticos simples de InGaAs/InP com mesma espessura do poço e diferentes composições de Ga. Este conjunto de amostras permite-nos estudar sistemas que apresentam "gap" direto e indireto. Esta variação na estrutura de banda será influência na dinâmica de portadores de cargas e será analisada por técnica de fotoluminescência resolvida no tempo. (AU)