Simulacao de difracao de raios-x no estudo de estruturas epitaxiais e perfil de tensao em semicondutores implantados.

• Processo: 96/12737-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 1998
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lisandro Pavie Cardoso
• Beneficiário: Danilo Rocha Nunes
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Difração por raios X
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Difracao De Raios-X | Estruturas Epitaxiais | Semicondutores Implantados | Simulacao De Varreduras W

Resumo

Neste projeto, pretende-se obter a implementação do programa que fornece a simulação de varreduras W (rocking curves) de forma a incluir a contribuição do cristal monocromador nos cálculos e também, utilizar esse mesmo programa para a obtenção de perfis de distribuição de tensão em amostras semicondutoras implantadas. (AU)