Propriedades eletronicas de heteroestruturas semicondutoras iii-v crescidas em direcoes (11n).

• Processo: 99/06804-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: Guilherme Matos Sipahi
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
• Assunto(s): Heteroestruturas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Direcao (11N) | Estruturas De Bandas | Heteroestrutura | Iii-V | Semidondutores | Strain

Resumo

Propõe-se a generalização do método dc calculo da estrutura dc bandas utilizado para estruturas crescidas na direção (001) no estudo de estruturas crescidas em direções(11n). O projeto inclui o estudo de super-redes, poços isolados, estruturas d-doping e heteroestruturas. Incluir-se-á também no formalismo o tratamento do tensionamento da estrutura e a ampliação dos métodos para a comparação dos resultados obtidos com resultados experimentais. (AU)