Dopagem de germanio amorfo hidrogenado com elementos das colunas iii e v.

• Processo: 96/12766-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1997
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 1997
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: David Mario Comedi
• Beneficiário: David Mario Comedi
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Dopagem eletrônica Defeitos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cauda De Urbach | Defeitos | Dopagem | Semicodutores Amorfos

Resumo

Será estudada a absorção óptica de amostras de germânio amorfo hidrocrenado (a-Ge:H) dopado com B, P e As. O coeficiente de absorção será obtido a partir desmedidas da transmitância no visível e espectroscopia da deflexão fototérmica. Serão determina dos os efeitos da introdução das impurezas na largura da banda de energia proibida r cauda de Urbach e densidades de defeitos nos filmes, em função da concentração de impurezas. Os resultados serão comparados com os previstos pelo modelo recentemente proposto para a-Ge:H, dopado com Al, Ga e In. (AU)