Propriedades eletro-opticas de heteroestruturas semicondutoras em gaas crescido na direcao (311).

• Processo: 98/04654-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de março de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Dmitri Beliaev
• Beneficiário: Dmitri Beliaev
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Fotoluminescência Estrutura eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura Eletronica | Fotoluminescencia | Troca E Correlacao

Resumo

Cálculos da estrutura eletrônica de heteroestruturas baseadas em GaAs (311) com dopagem tipo-p exigem a consideração rigorosa de efeitos de troca e correlação. O método deve se basear na unificação da teoria de massa efetiva e da teoria do funcional da densidade, e aqui seguirá a abordagem de Luttinger-Kohn na expansão em ondas planas da equação da massa efetiva no espaço recíproco. Os potenciais e energias de troca e correlação serão calculados pela primeira vez levando em consideração a termodinâmica de gases misturados. Para interpretar os dados experimentais provenientes das técnicas da modulação óptica os tópicos relacionados à interação da radiação com a matéria condensada serão abordados visando à realização de cálculos rigorosos dos espectros. A análise comparativa de dados teóricos e experimentais é de importância fundamental para o avanço na qualidade eletro-óptica das amostras crescidas sobre substratos de GaAs (311). (AU)