Estudo de interações hiperfinas eletromagnéticas em semicondutores binários e ternários usando a técnica de correlação angular gama-gama perturbada

• Processo: 97/11817-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 25 de março de 1998
• Data de Término da vigência: 24 de março de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Rajendra Narain Saxena
• Beneficiário: Rajendra Narain Saxena
• Pesquisador Anfitrião: Reiner Vianden
• Instituição Sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Universität Bonn, Alemanha
• Assunto(s): Semicondutores (físico-química)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Correlacao Angular Perturbado | Implantacao Ionica | Interacao Quadrupolar | Semicondutor Binario E Ternari

Resumo

A técnica de correlação angular gama-gama perturbada (CAP) será utilizada para investigar a estrutura eletrônica e propriedades microscópicas dos compostos semicondutores binários e ternários tipo AIII-BV, AII-BVI, AI-BIII C2 IV, AII BIV C2 V. Os isótopos 77-Br, 111-In e 111m-Cd serão usados como núcleos de prova nas medidas de cap. os núcleos de prova serão introduzidos nas amostras através de implantação iônica utilizando-se o separador de radioisótopos e implantador de íons da universidade de Bonn. (AU)