Crescimento e caracterização de heteroestruturas baseadas em si1-xgex,si1-x-ygexsny e si1-x-ygexcy

• Processo: 97/10704-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 07 de março de 1998
• Data de Término da vigência: 06 de março de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Julio Antonio Nieri de Toledo Soares
• Beneficiário: Julio Antonio Nieri de Toledo Soares
• Pesquisador Anfitrião: Joseph e Greene
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Instituição Anfitriã: University of Illinois at Urbana-Champaign, Estados Unidos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Heteroestruturas | Sige | Sigec

Resumo

O objetivo do projeto é realizar um estudo de metodologias de crescimento de heteroestruturas semicondutoras baseadas em elementos do grupo IV, visando-se desenvolver uma metodologia geral, baseada no conhecimento detalhado a nível atômico do crescimento epitaxial a baixa temperatura, para o crescimento de camadas epitaxiais de qualidade opto-eletrônica de ligas elementos do grupo IV com larguras de banda proibida de ~0 a 3 eV. (AU)