Estudo de propriedades eletro-ópticas no sistemas InGaAs/GaA1As/GAAS elaborado por epitaxia por feixe molecular

• Processo: 97/11959-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Jovens Pesquisadores
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 1998
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Américo Sheitiro Tabata
• Beneficiário: Américo Sheitiro Tabata
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 97/06132-1 - Estudo de propriedades eletroópticas no sistema conjunto GaAs/GaAlAs/InGaAs elaborado por epitaxia por feixe molecular, AP.JP
• Assunto(s): Dispositivos eletrônicos Fotoluminescência Arsenieto de gálio Arsenieto de índio e gálio Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivo | Fotoluminescencia | Gaas | Ingaas | Semicondutor

Resumo

Estudaremos pela técnica de PL e PLE problemas associados à cristalinidade e a defeitos gerados durante o crescimento de amostras no sistema InGaAs/GaAlAs/GaAs. Em seguida, estudaremos, em amostras otimizadas, problemas mais complexos associados a efeitos de muitos corpos. Como a blindagem da interação excitônica, a singularidade no nível de fermi, etc. (AU)