Implementação de um sensor de óxido nítrico em tecnologia planar de silício.

• Processo: 96/08274-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 1997
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 1999
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Rogério Furlan
• Beneficiário: Marcelo Bariatto Andrade Fontes
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Membranas Caraliticas | Microfabricacao | Oxido Nitrico | Sensor Baseado Em Silicio | Sensor Quimico

Resumo

O projeto visa implementar a construção de um sensor de oxido nítrico utilizando a tecnologia planar de silício. O referido sensor consta de elementos transdutores químicos-elétricos e um sistema de processamento de sinais, obtendo-se um conjunto completo de aquisição de dados. Na realização deste trabalho serão estudados os seguintes itens: corrosão anisotropica do silício; deposição de filmes poliméricos por eletrólise; projeto do circuito de processamento de sinais e sistema de aquisição de dados - técnicas de voltametria - cíclica e pulso. (AU)