| Processo: | 00/00371-9 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |
| Data de Início da vigência: | 01 de abril de 2000 |
| Data de Término da vigência: | 28 de fevereiro de 2002 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Mônica Alonso Cotta |
| Beneficiário: | Klaus Orian Vicaro |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Propriedades elétricas Pontos quânticos Tunelamento quântico Microscopia eletrônica de varredura |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Condutancia | Epitaxia | Microscopia | Quantum Dots | Tunelamento |
Resumo Neste projeto de mestrado, pretendemos utilizar novas técnicas de microscopia de varredura por ponta de prova para caracterizar as propriedades elétricas de estruturas tipo quantum dots de InAs/InP obtidas pelo modo de crescimento Stranski-Krastanov. Medidas corrente-voltagem com resolução espacial serão realizadas nas estruturas crescidas utilizando o microscópio no modo de microscopia de forca atômica (com o uso de uma ponta condutora) e no modo de força eletrostática. Posteriormente, estruturas tipo mesa (com a metalização necessária para sua polarização) serão processadas, e medidas elétricas a temperaturas mais baixas poderão ser adquiridas. Estes resultados serão interpretados em termos das propriedades eletrônicas locais dos quantum dots e também do transporte de portadores entre estruturas de diferentes dimensionalidades presentes na amostra. (AU) | |
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