Processo de formação de éxcitons em poços quânticos de semicondutores

• Processo: 97/00508-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1997
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Antonio Brum
• Beneficiário: Maria Carolina de Oliveira Aguiar
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Éxciton Poços quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Excitons

Resumo

Estudo do processo de formação dos éxcitons em poços quânticos levando em consideração a complexidade da banda de valência na descrição dos buracos e do centro-de-massa do excitor. Consideraremos dois caminhos: i) formação do excitor a partir de portadores quentes e relaxação no ramo de dispensão do excitor. ii) relaxação dos portadores para os extremos das bandas e subseqüente formação do excitor. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

AGUIAR, Maria Carolina de Oliveira. Dinâmica excitônica em poços quânticos de semicondutores. 1999. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.