Estudo de superfícies e interfaces de semicondutores amorfos: c-Si, c-Ge e a-Si/a-Ge

• Processo: 99/00217-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1999
• Data de Término da vigência: 01 de agosto de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Antonio José Roque da Silva
• Beneficiário: Marcilei Aparecida Guazzelli
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura Eletronica | Ge | Semicondutores Amorfos | Si | Simulacao Computacional | Superficies De Semicondutores

Resumo

O projeto visa estudar teoricamente superfícies e interfaces de semicondutores amorfos, em partículas c-Si/a-Si, c-Ge/a-Ge e a-Si/a-Ge (hidrogenados e não hidrogenados). O problema será abordado em duas etapas, sendo que cada uma irá introduzir a aluna à técnicas de análise teórica importantes para sua formação. Na primeira etapa o sistema será descrito utilizando-se técnicas de simulação computacional (Monte Cario ou dinâmica molecular) com o intuito de gerar configurações atômicas para cálculos de estrutura eletrônica posteriores, e/ou análise de propriedades do sistema como "stress", defeitos topológicos, etc. Nessa primeira fase potenciais empíricos serão utilizados. Na segunda fase cálculos de estrutura eletrônica serão feitos para as configurações geradas através das simulações computacionais descritas acima. Métodos ab initio, baseados na teoria do funcional densidade (DFT) e/ou métodos semi-empírico (tight-binding) serão utilizados. (AU)