Caracterização elétrica de nanoestruturas semicondutoras

• Processo: 01/13463-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2002
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2006
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Mônica Alonso Cotta
• Beneficiário: Klaus Orian Vicaro
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais nanoestruturados Semicondutores Nanofios Propriedades elétricas Arsenieto de índio Fosfeto de índio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Eletrica | Inas/Inp | Nanoestruturas | Nanofios | Pontos Quanticos | Semicondutores

Resumo

Neste projeto de doutorado, pretendemos caracterizar as propriedades elétricas de nanoestruturas semicondutoras (quantum dots e quantum wires) obtidas pelo modo de crescimento Stranski-Krastanov. Medidas de condutância e corrente-voltagem com resolução espacial serão realizadas nas estruturas crescidas utilizando microscopia de forca atômica e medidas de potencial de superfície no modo de força eletrostática. Estruturas tipo mesa serão processadas e medidas elétricas a temperaturas mais baixas que a ambiente serão adquiridas. Estes resultados poderão ser modelados, sempre que possível, para correlacionar com a dimensionalidade das nanoestruturas semicondutoras. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

VICARO, Klaus Orian. Caracterização elétrica de nanoestruturas semicondutoras. 2008. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.