Texto completo
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| Autor(es): |
Klaus Orian Vicaro
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Tese de Doutorado |
| Imprenta: | Campinas, SP. |
| Instituição: | Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin |
| Data de defesa: | 2008-02-12 |
| Membros da banca: |
Mônica Alonso Cotta;
Evaldo Ribeiro;
Flavio Orlando Plentz Filho;
Fernando Iikawa;
Varlei Rodrigues
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| Orientador: | Mônica Alonso Cotta; Peter Alexander Bleinroth Schulz |
| Resumo | |
Neste trabalho caracterizamos as propriedades elétricas de nanoestruturas semicondutoras de InAs/InP, principalmente quantum dots e quantum wires, obtidas pelo modo de crescimento Stranski-Krastanov com epitaxia por feixe químico (CBE). Medidas de topografia, de condutância elétrica e corrente-voltagem com resolução espacial foram realizadas nas estruturas crescidas utilizando microscopia de força atômica em modo condutivo (C-AFM) com ponta metalizada. Estruturas tipo mesa foram processadas nas amostras usadas em C-AFM e medidas elétricas a temperaturas mais baixas que 273 K foram adquiridas. Transporte por emissão termiônica tridimensional (não-homogêneo) foi observado entre a ponta condutora e as nanoestruturas de InAs. Isso sugere que as vizinhanças da nanoestrutura, formada pela wetting layer (WL), alteram a configuração da altura da barreira, tornando-a dependente da voltagem aplicada na junção metal-semicondutor. Por outro lado, a voltagem de limiar, definida como a voltagem necessária para obter a menor corrente elétrica detetável, varia com o tamanho e forma da nanoestrutura; ela está relacionada com o estado eletrônico da nanoestrutura e também com o gap eletrônico do semicondutor, que é menor nas nanoestruturas maiores. Condução elétrica por hopping e ruído telegráfico aleatório (RTN) foram observados a baixas temperaturas nos dispositivos fabricados via e-beam com dezenas ou centenas de nanoestruturas de InAs/InP. O transporte tipo hopping de Éfros-Shklovskii ocorre a temperaturas mais altas (> 70 K) e polarizações baixas onde a densidade de portadores no dispositivo é baixa e a interação coulombiana forte. Com o aumento da polarização o hopping muda para intervalo variável de Mott em sistemas 2D, e correlacionado com a dimensionalidade da WL ¿o canal de condução. O RTN aparece em temperaturas mais baixas (< 40 K) mas somente nos dispositivos contendo nanoestruturas que permitem o aprisionamento de portadores. Simulações numéricas usando um modelo heurístico mostraram que poucas nanoestruturas podem alterar o transporte elétrico num ensemble com centenas delas (AU) | |
| Processo FAPESP: | 01/13463-1 - Caracterização elétrica de nanoestruturas semicondutoras |
| Beneficiário: | Klaus Orian Vicaro |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |