Investigação da estrutura eletrônica de um gás bidimensional de elétrons confinado nas proximidades de pontos quânticos, utilizando medidas do efeito Shubnikov-de Haas, do efeito Hall e de fotoluminescência

• Processo: 01/11310-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2002
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Euzi Conceição Fernandes da Silva
• Beneficiário: Ivan Ramos Pagnossin
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Efeito Hall Fotoluminescência Pontos quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Efeito Hall | Fotoluminescencia | Gas De Eletrons | Medidas De Transporte | Pontos Quanticos | Shubnikov-De-Haas

Resumo

Estamos interessados em obter informações sobre a estrutura eletrônica de um gás de elétrons bidimensional (2DEG) confinado em um poço quântico, que tem em uma de suas barreiras uma camada de pontos quânticos e na outra barreira uma camada de íons dopantes (oriundos da dopagem planar). Realizaremos medidas de Shubnikov-de Haas para determinar a ocupação das sub-bandas do 2DEG e as suas respectivas mobilidades quânticas. As investigações sobre as propriedades destas heteroestruturas serão complementadas com espectroscopia óptica (fotoluminescêcnia) e também com medidas de efeito Hall (que fornece a concentração média de portadores no sistema e também a mobilidade de transporte média dos portadores detectados na medida de efeito Hall). (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

PAGNOSSIN, Ivan Ramos. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs. 2004. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.