Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs

Autor(es)

Ivan Ramos Pagnossin

• Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
• Data de defesa: 2004-04-29

Membros da banca

Euzi Conceicao Fernandes da Silva; Lucy Vitoria Credidio Assali; Marcelo Nelson Paez Carreno

• Orientador: Euzi Conceicao Fernandes da Silva

Resumo

Neste trabalho, realizamos medidas sistemáticas dos efeitos Hall e Shubnikov-de Haas em função do tempo de iluminação das amostras a fim de investigar as propriedades de transporte elétrico de um gás bidimensional de elétrons (2DEG) confinado num poço-quântico de GaAs/InGaAs próximo a pontos-quânticos de InAs introduzidos na barreira superior do poço-quântico (GaAs). Nós não observamos qualquer degradação expressiva da mobilidade eletrônica devido a inserção deles na heteroestrutura. Contudo, observamos diferentes variações das mobilidades quânticas de amostra para amostra, as quais atribuimos ao acúmulo da tensão mecânica na camada de InAs. O comportamento das mobilidades quânticas e de transporte são discutidas no contexto da modulação local dos perfís das bandas de condução e de valência pela camada de InAs. (AU)

• Processo FAPESP: 01/11310-3 - Investigação da estrutura eletrônica de um gás bidimensional de elétrons confinado nas proximidades de pontos quânticos, utilizando medidas do efeito Shubnikov-de Haas, do efeito Hall e de fotoluminescência
• Beneficiário: Ivan Ramos Pagnossin
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado