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Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs

Texto completo
Autor(es):
Ivan Ramos Pagnossin
Número total de Autores: 1
Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
Imprenta: São Paulo.
Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
Data de defesa:
Membros da banca:
Euzi Conceicao Fernandes da Silva; Lucy Vitoria Credidio Assali; Marcelo Nelson Paez Carreno
Orientador: Euzi Conceicao Fernandes da Silva
Resumo

Neste trabalho, realizamos medidas sistemáticas dos efeitos Hall e Shubnikov-de Haas em função do tempo de iluminação das amostras a fim de investigar as propriedades de transporte elétrico de um gás bidimensional de elétrons (2DEG) confinado num poço-quântico de GaAs/InGaAs próximo a pontos-quânticos de InAs introduzidos na barreira superior do poço-quântico (GaAs). Nós não observamos qualquer degradação expressiva da mobilidade eletrônica devido a inserção deles na heteroestrutura. Contudo, observamos diferentes variações das mobilidades quânticas de amostra para amostra, as quais atribuimos ao acúmulo da tensão mecânica na camada de InAs. O comportamento das mobilidades quânticas e de transporte são discutidas no contexto da modulação local dos perfís das bandas de condução e de valência pela camada de InAs. (AU)

Processo FAPESP: 01/11310-3 - Investigação da estrutura eletrônica de um gás bidimensional de elétrons confinado nas proximidades de pontos quânticos, utilizando medidas do efeito Shubnikov-de Haas, do efeito Hall e de fotoluminescência
Beneficiário:Ivan Ramos Pagnossin
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado