Dinâmica em femtossegundos de portadores fotoexcitados na liga AlGaAs próximo a transição gap direto - gap indireto

• Processo: 96/02548-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1996
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 1997
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Carlos Henrique de Brito Cruz
• Beneficiário: Leandro Hostalácio Freire de Andrade
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Algaas | Femtosegundos | Gap | Intervalos | Semicondutores | Ultra Rapido

Resumo

Neste trabalho, resolvemos no tempo as mudanças fotoinduzidas no espectro de transmissão da liga AlGaAs próximo ao crossover direto-indireto, utilizando a técnica de excitação e prova e pulsos laser de bombeio e prova de, respectivamente, 100 fs e 20 fs de duração. O pulso de prova consiste num "contínuo" de 70 nm de largura espectral cobrindo o gap direto da liga nesta região de composição. Os dados revelam uma rica coleção de fenômenos, incluindo renormalização do band gap, espalhamento intervales e termalização dos portadores foto-excitados. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

ANDRADE, Leandro Hostalácio Freire de. Dinâmica em femtossegundos de portadores fotoexcitados na liga AlxGa1-xAs. 1999. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.