Desenvolvimento de um processo litográfico de camada simples para microestruturas com elevada razão de aspecto

• Processo: 99/00351-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1999
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Antonio Carlos Seabra
• Beneficiário: Ana Paula Mousinho dos Santos
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica Sistemas microeletromecânicos Microestruturas Litografia (processos de impressão) Raios X Microssensores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Corrosao Por Plasma | Litografia | Mems | Microeletronica | Microestruturas | Processos De Fabricacao De Cis

Resumo

Os processos de fabricação de microestruturas em silício voltadas para sistemas microeletromecânicos (MEMS) necessitam de etapas litográficas capazes de definir estruturas com alturas de 100um a 1000um e razões de aspecto (altura vs largura) elevadas, entre 30 e 100. Os processos mais avançados nessa área empregam litografia por raios-X, que embora possua as características técnicas necessárias, é extremamente cara (tanto em equipamentos quanto em insumos) e demorada na sua execução. A proposta deste trabalho é desenvolver um processo que empregue técnicas litográficas de imagem na superfície (camada simples) e corrosão por plasma na obtenção de tais estruturas de forma mais rápida e a custos significativamente inferiores. Tal processo deverá ser aplicado no desenvolvimento de microssensores e microatuadores eletromecânicos. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

SANTOS, Ana Paula Mousinho dos. Desenvolvimento de um processo litográfico de camada simples com razões de aspecto elevadas.. 2001. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.