Camadas grossas de silicio amorfo para detetores de radiacao.

• Processo: 98/10817-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1998
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 1998
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ines Pereyra
• Beneficiário: Carlos Leonardo Garrido Alzar
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Propriedades mecânicas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Detetores De Radiacao | Estrutura P-I-N | Pecvd | Propriedades Mecanicas | Silicio Amorfo

Resumo

O objetivo fundamental deste trabalho é o estudo dos problemas críticos relacionados com a fabricação de detectores de radiação de estrutura p-i-n feitos com silício amorfo hidrogenado, a-Si:H. Estes detectores precisam de uma camada intrínseca grossa, com espessura maior que 50 μm, para realizar uma detecção direta da radiação. Porém, a obtenção de camadas grossas de silício amorfo necessita longos tempos de deposição e, além disso, elas são mecanicamente instáveis, quebrando-se como conseqüência das tensões internas nelas existentes. Neste sentido, a estratégia a seguir seria crescer camadas finas, com espessuras de até 1 fim, de silício amorfo utilizando diferentes condições de deposição, submeter às camadas a tratamentos térmicos, e estudar as suas propriedades mecânicas, procurando conservar boas as propriedades elétricas das mesmas. Uma vez otimizadas as propriedades mecânicas das camadas finas, passaremos à deposição de camadas grossas utilizando condições de deposição (pressão, temperatura, fluxos, etc.) similares a aquelas usadas na deposição das camadas finas. Estas camadas grossas obtidas desta forma empregar-se-ão na fabricação da região intrínseca dos detectores de radiação de estrutura p-i-n. (AU)