Desenvolvimento de um sensor Hall em GaAs

• Processo: 98/00659-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2000
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Efeso Francisco de Melo Maricato
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Efeito Hall Arsenieto de gálio Circuitos integrados Sensores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Arseneto De Galio | Circuitos Integrados | Dispositivo Hall | Efeito Hall | Elemento Hall | Sensor Hall

Resumo

Os sensores Hall são sensores magnéticos baseados no Efeito Hall. Esses tipos de sensores encontram-se em inúmeras aplicações de diversas áreas como automobilística, robótica e eletrônica entre outras. Algumas das funções e aplicações desses sensores são: a detecção de deslocamentos submicron, vibrações, velocidade, padrões magnéticos em "banknotes" e cartões de créditos, leitura de discos, e fitas magnéticas, memórias e deslocamentos angulares entre outras aplicações. Os sensores Hall fabricados em GaAs apresentam boas performances como estabilidade térmica, linearidade e sensitividade. Tendo em vista as várias aplicações citadas acima, as boas propriedades do GaAs para fabricação de dispositivos Hall e um campo de pesquisa muito vasto para sensores magnéticos de Efeito Hall, fica plenamente justificado a importância para se estudar e desenvolver tal dispositivo. As etapas básicas para o desenvolvimento do sensor Hall serão: 1- estudar os parâmetros do sensor Hall: tensão Hall, sensitividade, sinal/ruído, linearidade, potência e tensão offset, 2- analisar as figuras de mérito e definir os parâmetros mais importantes para cada tipo de aplicação; 3- estabelecer especificações do sensor e dependência da aplicação; 4- projetar a estrutura do sensor (geometria, dopagem); 5- fabricar e caracterizar o sensor. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MARICATO, Efeso Francisco de Melo. Sensor Hall de GaAs por implantação de ions. 2000. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação Campinas, SP.