Simulacao analitica de dispositivos soi-mosfets utilizando o pspice.

• Processo: 97/08754-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2000
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Luciano Mendes Camillo
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Mosfet | Pspice | Soi

Resumo

Neste trabalho deseja-se obter o ajuste de parâmetros e modelos necessários para permitir que o simulador analítico PSPICE simule transistores do tipo Metal-Oxido-Semicondutor implementados em lâminas de silício sobre Isolante (SOI-MOSFET). O trabalho iniciará com um estudo detalhado do simulador analítico mais utilizado na atualidade (PSPICE). Em seguida será feito um estudo do modelo analítico dos dispositivos SOI-MOSFET cujos resultados serão comparados com os obtidos através de simulações numéricas. Finalmente, como conseqüência de ambos os estudos indicados acima, será feito uma proposta de ajuste dos parâmetros e modelos do PSPICE para permitir a simulação de dispositivos SOI-MOSFET modo inversão e modo acumulação, trabalho este inédito no país. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

CAMILLO, Luciano Mendes. Simulação de dispositivos Soi Mosfets utilizando spice.. 2000. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.