Construcao e caracterizacao de diodos n+p com contatos al/ni/tisi2/si.

• Processo: 99/01819-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1999
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Sebastiao Gomes dos Santos Filho
• Beneficiário: Ronaldo Willian Reis
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Contatos Rasos | Corrente Reversa | Fator De Idealidade | Juncao Pn | Siliceto De Titanio

Resumo

Neste trabalho, far-se-á a construção e caracterização experimental de diodos n+p com contatos Al/Ni/TiSi2/Si de alta qualidade de forma a se ter características elétricas reversas melhoradas compatíveis com altíssima escala de integração para circuitos integrados (GSI). O controle de qualidade consistirá em obter-se camadas de silicetos sobre regiões n+ com baixas rugosidades interfaciais e baixas resistências de contato de forma a minimizar a corrente reversa de fuga através dos diodos fabricados. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

REIS, Ronaldo Willian. Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.. 2001. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.