Construção e caracterização de diodos \'n POT. +\'p com contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\'.

Autor(es)

Ronaldo Willian Reis

• Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC)
• Data de defesa: 2001-04-17

Membros da banca

Sebastião Gomes dos Santos Filho; Helio Goldenstein; Jacobus Willibrordus Swart

• Orientador: Sebastião Gomes dos Santos Filho

Resumo

Neste trabalho foram construídos contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' sobre junções rasas \'n POT. +\'p com 0,5 \'MICROMETROS\' de profundidade. O desempenho elétrico final obtido foi considerado excelente com corrente reversa de aproximadamente 15 nA/cm2 e a resistência de contato de 7,3.\'10 POT. -8\' \'OHM\'cm2 (áreas de (200 x 200) \'MICROMETROS\'). O processo térmico (T = 900 \'GRAUS\'C e t = 75 min) para obtenção das junções \'n POT. +\'p com profundidade de 0,5 \'MICROMETROS\' foi simulado com o programa SUPREM III. Para fabricar contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' de boa qualidade, foram feitas caracterizações prévias dos filmes Ti\'Si IND. 2\' formados em duas etapas (700\'GRAUS\'C e 900\'GRAUS\'C) em ambiente de nitrogênio. De forma geral, os filmes de Ti\'Si IND. 2\'-C54 resultaram com baixas rugosidades (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm) e baixos valores de resistividade (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm). Por outro lado, filmes de Ni foram depositados por processo eletroquímico espontâneo sobre filmes Ti\'Si IND. 2\'-C54 previamente ativados em solução de paládio (\'H IND. 2\'O/HF/Pd\'Cl IND. 2\'). Os filmes de níquel depositados sobre Ti\'Si IND. 2\'-C54 apresentaram um pequeno aumento da rugosidade superficial (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 15 nm) em comparação com a superfície do siliceto de titânio (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm). Tal fato foi explicado como devido principalmente ao processo de pré-ativação que cria sítios sobre o siliceto antes da deposição do níquel. Os filmes de níquel obtidos resultaram do tipo Ni(P) com concentração de fósforo de aproximadamente 5% e resistência de folha de \'APROXIMADAMENTE\' 0,5 \'OHM\'\'POR QUADRADO\' para espessuras de 300 nm (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm). (AU)

• Processo FAPESP: 99/01819-4 - Construcao e caracterizacao de diodos n+p com contatos al/ni/tisi2/si.
• Beneficiário: Ronaldo Willian Reis
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado