Desenvolvimento de um processo de compatibilizacao de pos ceramicos utilizando compostos organicos de silicio.

• Processo: 99/08821-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2000
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Douglas Gouvêa
• Beneficiário: Sandrino Nogueira
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 97/06152-2 - Estudos de dispersões cerâmicas em solventes não aquosos, AP.JP
• Assunto(s): Pós cerâmicos Deposiçăo por plasma Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Modificação de superfícies
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Deposicao Por Plasma | Dispersoes | Hmds | Modificacao De Superficie | Pos Ceramicos | Teos

Resumo

O presente trabalho tem como principal objetivo a modificação da superfície de pós-cerâmicos através da deposição por plasma de compostos orgânicos de silício, com o intuito de se promover uma compatibilização entre diferentes pós (principalmente AI203 e SiC) durante a preparação de barbotínas. Para tanto, serão realizados estudos em relação aos seguintes tópicos: ? Caracterização de um processo de deposição por plasma, no caso, um reator PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), especialmente adaptado para trabalhar com deposições em pós-cerâmicos. ? Modificação da superfície através da utilização de compostos orgânicos de silício, no caso, HMDS (Hexametiidissilazana) e TEOS (Jetraetilortossilicato), que serão utilizados como reagentes na deposição de filmes finos sobre os seguintes pós cerâmicos: AI203 e SiC. ? Formação de dispersões em meio aquoso e não-aquoso, para estudo da compatibilidade dos pós-obtidos após as deposições. ? Conformação dos pós-cerâmicos através de deposição por eletroforese e sinterização do produto. (AU)