| Processo: | 03/13133-7 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de junho de 2004 |
| Data de Término da vigência: | 30 de novembro de 2008 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Fernando Iikawa |
| Beneficiário: | Paulo Freitas Gomes |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Semicondutores Materiais nanoestruturados Pontos quânticos Propriedades ópticas Fosfeto de índio Arsenieto de gálio |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Excitons | Inp/Gaas | Nanoestruturas | Pontos Quanticos | Propriedades Opticas | Semicondutores |
Resumo Neste projeto, pretendemos investigar propriedades de éxcitons carregados, negativamente e positivamente, e multi-éxcitons em pontos quânticos auto-organizados tipo-II de InP/GaAs. A investigação será feita por medidas ópticas de pontos quânticos individuais utilizando a técnica de micro-fotoluminescência no regime contínuo e resolvido no tempo. O estudo de emissão óptica dos complexos formado por éxcitons em pontos quânticos tipo-II individuais é inédito e será importante, não só na compreensão de efeitos de muitos portadores em nanoestruturas de semicondutores, como também, em aplicações em dispositivos opto-eletrônicos e computação quântica. O plano de trabalho será focado em estudar as propriedades ópticas em um sistema onde a interação Colombiana efetiva é influenciada pela separação espacial entre elétrons e buracos devido ao alinhamento das bandas do tipo-II nas interfaces de InP e GaAs. Serão estudados também essas propriedades na presença do campo magnético e elétrico externo. (AU) | |
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