Busca avançada
Ano de início
Entree


Não-linearidade X(2) e X(3) em micro-ressoadores fotônicos baseados em silício com oscilação paramétrica do visível ao infravermelho

Texto completo
Autor(es):
Renato Ribeiro Domeneguetti
Número total de Autores: 1
Tipo de documento: Tese de Doutorado
Imprenta: São Paulo.
Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
Data de defesa:
Membros da banca:
Paulo Alberto Nussenzveig; Thiago Pedro Mayer Alegre; Lucas Heitzmann Gabrielli; Arnaldo Gammal; Alexandre Levine
Orientador: Paulo Alberto Nussenzveig
Resumo

Apresentamos neste trabalho o procedimento de engenharia de dispersão em chips fotônicos compatíveis com tecnologia CMOS para conversão de frequências na escala de centenas de Terahertz em micro-ressoadores. Esses sistemas apresentam grande potencial para geração integrada de luz com propriedades não-clássicas para uso em ciência de informação quântica. Este é o primeiro trabalho que utiliza a dispersão dos modos transversos elétrico ou magnético de ordem-superiores para obter o comprimento de onda do zero de dispersão da velocidade de grupo em 795 nm. Demonstramos que, com um delicado balanço entre os termos de dispersão de segunda- e quarta-ordem, geramos dois feixes intensos que podem compartilhar informação quântica entre linhas atômicas e a banda de telecomunicação. (AU)

Processo FAPESP: 13/26757-0 - Informação quântica com variáveis contínuas em chip de silício
Beneficiário:Renato Ribeiro Domeneguetti
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado