Texto completo
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| Autor(es): |
Carlos César Bof' Bufon
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Dissertação de Mestrado |
| Imprenta: | São Carlos. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) |
| Data de defesa: | 2003-02-19 |
| Membros da banca: |
Gilberto Medeiros Ribeiro;
Iouri Poussep;
Alain Andre Quivy
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| Orientador: | Gilberto Medeiros Ribeiro |
| Resumo | |
O crescimento de pontos quânticos a partir do descasamento dos parâmetros de rede tem sido alvo de intensos estudos nos últimos dez anos. Conhecer as propriedades eletrônicas destes materiais é chave para a engenharia de sistemas quânticos. O objetivo deste trabalho é estudar as propriedades eletrônicas de pontos quânticos (QD) de InAS1-x Px enterrados em GaAs, através de Espectroscopia de Capacitância (CV). A Espectroscopia CV é uma técnica que permite determinar os estados eletrônicos e a distribuição de cargas do sistema. As amostras de InAS1-x Px foram crescidas por MOCVD (Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition) sobre um substrato de GaAs:Cr (001). A estrutura das amostras é do tipo MIS (Metal-Isolante-Semicondutor) com um contato traseiro do tipo n. As medidas de capacitância foram feitas a 4,2 K para diferentes valores de freqüência e campo magnético. A partir da dispersão dos estados confinados com o campo magnético aplicado perpendicular ao plano dos pontos quânticos, pode-se determinar, ◚, a freqüência natural do sistema. A partir de ◚, determinou-se 𕖮, o comprimento característico da função de onda. A concordância entre os valores de 𕖮 com as dimensões laterais dos pontos quânticos obtidos por microscopia eletrônica de transmissão (TEM) é boa. Finalmente, através das medidas de espectroscopia CV pode-se separar os efeitos de confinamento lateral e vertical, permitindo um melhor entendimento dos espectros de fotoluminescência (PL), assim como os detalhes da forma dos QD obtidos por TEM. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 01/00140-0 - Crescimento e caracterizacao de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras. |
| Beneficiário: | Carlos César Bof Bufon |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |