Espectroscopia a Nível Atômico Usando um Microscópio de Tunelamento (STM)

Autor(es)

Tomás Erikson Lamas

• Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
• Data de defesa: 1999-12-20

Membros da banca

Alain Andre Quivy; Mônica Alonso Cotta; Marina Amelia Pinto Viegas da Silveira Santos

• Orientador: Alain Andre Quivy

Resumo

O objetivo principal deste trabalho foi adicionar novos módulos (tanto eletrônicos quanto computacionais) necessários para efetuar medidas espectroscópicas com o microscópio de tunelamento construído há alguns anos no Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da USP. Para checar a performance do novo sistema implementado, foram realizadas medidas sobre materiais condutores (grafite e ouro). Visando a análise topográfica e espectroscópica de amostras semicondutoras dos grupos III-V, estudamos alguns métodos para a preparação destas superfícies. Dentre eles, a passivação foi capaz de fornecer os resultados mais significativos. Finalmente, curvas da corrente de tunelamento em função da tensão aplicada à junção foram adquiridas sobre amostras de GaAs e pontos quânticos de InAs crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). (AU)

• Processo FAPESP: 97/08745-0 - Espectroscopia a nível atômico usando um microscópio de tunelamento (SMT)
• Beneficiário: Tomás Erikson Lamas
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado