Aspectos de modelagem numérica de transistores de fios quânticos

Autor(es)

Rafael Vinicius Tayette da Nobrega

• Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
• Imprenta: São Carlos.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Escola de Engenharia de São Carlos (EESC/SBD)
• Data de defesa: 2010-07-22

Membros da banca

Murilo Araujo Romero; Guilherme Matos Sipahi; João Navarro Soares Júnior

• Orientador: Murilo Araujo Romero

Resumo

Esta dissertação discute o desenvolvimento de modelos analíticos e numéricos para as características elétricas de transistores de fios quânticos. Sendo assim, realizou-se um estudo implementando uma sequência de formalismos e ferramentas computacionais para solução auto-consistente das equações de Schrödinger e Poisson para poços e fios quânticos. Com a utilização deste método numérico pode-se determinar os auto-estados os níveis de energias e as densidades eletrônicas de portadores livres, dentre outros parâmetros relevantes para dispositivos de fio quântico. Adicionalmente, realizou-se um estudo analítico das heteroestruturas semicondutoras de interesse para a área de dispositivos de dimensionalidade reduzida. Este estudo levou a obtenção de resultados referentes ao desenvolvimento de modelos teóricos para as características elétricas de dispositivos baseados no mecanismo de tunelamento ressonante. Os resultados obtidos para a característica corrente-tensão (I-V) nas heteroestruturas investigadas foram contrastados satisfatoriamente com os encontrados na literatura. Este ferramental analítico foi então aplicado para computar o coeficiente de transmissão eletrônico de um diodo de fio quântico com tunelamento ressonante. (AU)

• Processo FAPESP: 08/52828-4 - Modelagem numerica de transistores de fios quanticos para aplicacoes em nanoeletronica
• Beneficiário: Rafael Vinicius Tayette da Nobrega
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado