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Propriedades varistoras de sistemas a base de 'SN''OIND.2' dopados con 'ZN''O', 'W''OIND.3', 'NBIND.2''OIND.5', 'ALIND.2''OIND.3', 'CRIND.2''OIND.3', 'MN''OIND.2', 'CO''O', 'CU''O', 'V''CLIND.3'

Texto completo
Autor(es):
Ubirajara Coleto Júnior
Número total de Autores: 1
Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
Imprenta: Araraquara. 2014-06-11.
Instituição: Universidade Estadual Paulista (Unesp). Instituto de Química. Araraquara
Data de defesa:
Orientador: Leinig Antonio Perazolli
Resumo

Neste trabalho foi estudado cerâmicas densas a base de SnO2, utilizando técnicas de Difração de Raios X (DRX), Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e Transmissão (MET), área de superfície pelo método B.E.T., Análise Térmica, Dilatometria e Caracterização Elétrica, com o objetivo de entender seu comportamento elétrico, para possível utilização como varistor. O primeiro passo foi estudar algumas características do SnO2 dopado com diferentes concentrações de ZnO, tais como densidade, tamanho de grão, limite de solução sólida, formação de precipitados e a concentração ideal de ZnO a ser adicionado ao SnO2 para produção de cerâmicas densas. Em seguida passou-se a estudar o sistema SnO2- ZnO-WO3, obtendo para o novo sistema os mesmos parâmetros estudados no sistema SnO2- ZnO, e também as posições dos dopantes na rede cristalina do SnO2 e as características elétricas do sistema SnO2-ZnO-WO3 para utilização como varistor. E por último pesquisou-se, dando-se ênfase aos estudos de caracterização elétrica, o sistema SnO2-ZnO-WO3 acrescido de novos dopantes, a fim de se obter um varistor de baixa tensão. Obteve-se varistores de média e alta tensão de boa qualidade, com α>50, Er≅1.300 a 19.000V/cm e If=0,08mA/cm2 e varistores de baixa tensão com pequeno comportamento varistor, apresentando α=4,6, Er≅400V/cm e If≅0,4mA/cm2. (AU)

Processo FAPESP: 02/12482-5 - Obtenção de varistores a partir do sistema SnO2-ZnO-WO3
Beneficiário:Ubirajara Coleto Júnior
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado