Atualmente afiliado à Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (UNESP) em Bauru, SP, Brasil, Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais pela mesma instituição, obtido em 2022 sob a orientação do Prof. Luís Vicente de Andrade Scalvi. Atualmente matriculado no programa de doutorado do POSMAT, também sob a orientação do Prof. Luís Vicente de Andrade Scalvi. Foca na deposição e caracterização de filmes finos, particularmente utilizando o método de dip-coating via sol-gel e desenvolvimento de novos métodos de deposição e de preparação de heteroestruturas. (Fonte: Currículo Lattes)
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A presente proposta envolve a preparação da heterojunção tipo-I entre SnO2 e Ga2O3, comoforma de combinar as bandas de energia na interface entre esses semicondutores óxidos paradesenvolvimento de dispositivos eletrônicos como transistores de efeito de campo (FETs) etransistores bipolares de heterojunção (HBTs). Com amostras preparadas na formapolicristalina por rota química nos laboratór…
Considerando que filmes finos possuem uma variedade de aplicações, em diversos campos e tecnologias, diversos meios de serem confeccionados têm sido desenvolvidos, seja por deposições físicas como crescimentos epitaxiais, evaporação resistiva, CVD (Chemical Vapour Deposition) e ALD (Atomic Layer Deposition), como processos químicos, tais como métodos sol-gel (dip-coating, spin-coating e d…
O objetivo principal deste projeto de iniciação cientifica é o conhecimento sobre as propriedades de filmes finos SnO2 e TiO2, com e sem dopagem de Sb5+ e lantanídeos trivalente (Ln3+), respectivamente, combinados na forma de heteroestruturas. Isso envolve o domínio de técnicas de deposição, com posterior caracterização, de filmes finos de SnO2 e TiO2 individualmente, e a melhoria nas pro…
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