Resumo
Neste projeto de pesquisa, um estudo detalhado sobre o desempenho como sensor de gás de transistores de efeito de campo (FET) baseados em nanoestruturas semicondutoras 1D é proposto. Para isso, nanoestruturas com diferentes estequiometrias do óxido de estanho (SnO2, SnO e Sn3O4) e óxido de cobre (CuO e Cu2O) serão utilizadas como canais/elementos sensor, a fim de compreender a influência …