CV Lattes
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Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Professor Associado do Departamento de Física da Universidade Federal de São Carlos. Graduação em Física pela Universidade Estadual do Centro-Oeste, mestrado em Física pela Universidade Estadual de Londrina, doutorado em Física pela Universidade Federal de São Carlos com período sanduíche na University of Arkansas (USA), e pós-doutorados na Universidade Federal de São Carlos e Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part., atuando em propriedades optoeletrônicas de nanoestruturas semicondutoras, com ênfase em tecnologias de emissores quânticos. (Fonte: Currículo Lattes)
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Nanoestruturas semicondutoras com perfil de potencial de confinamento quântico unidimensional, como por exemplo, diodos de tunelamento ressonante (RTD), são altamente empregadas em dispositivos construídos em escala nanométrica destinadas a uma vasta aplicabilidade industrial e em ciência básica. Entretanto, as emissões ópticas destes dispositivos até o momento têm sido encontradas em uma…
A técnica "time correlated single photon couting" (TCSPC) é o método mais sensível para determinação de tempos de vida através das técnicas de fotoluminescência/fluorescência. TCSPC é baseada na detecção de um único fóton após a excitação óptica de uma amostra por uma fonte de luz pulsada. A luz da fonte inicia uma eletrônica de correlação, a qual é interrompida após os fótons emitidos pe…
Este projeto é dedicado à investigação das propriedades ópticas e eletrônicas de nanoestruturas semicondutoras utilizando espectroscopia com resolução temporal. Serão utilizadas amostras com diferentes geometrias e composições no estudo e aplicações de novos efeitos quânticos. O projeto inclui ainda a colaboração entre grupos de crescimento, caracterização estrutural e cálculo teórico, co…
Materiais bidimensionais vem se destacando como alvo de grande interesse em pesquisas acadêmicas nas últimas duas décadas, tanto para o estudo de suas propriedades fundamentais como no desenvolvimento de dispositivos nano-estruturados. Entre estes materiais, os dicalcogenetos de metais de transição (TMDs) se destacam como promissores semicondutores bidimensionais por, por exemplo, possuír…
Nanoestruturas de baixa dimensionalidade, como poços e pontos quânticos, são destaque como um dos alvos de grande atenção das pesquisas acadêmicas ao longo das últimas décadas, tanto sob o ponto de vista de Física Básica como aplicada. Nesta direção, melhorias recentes no processo de crescimento de sistemas contendo antimônio (Sb) possibilitaram a introdução deste elemento nas tradicionai…
Pontos quânticos (QDs) baseados na liga In(Ga)As são a base de várias tecnologias atuais e promissores candidatos para aplicações no campo da informação quântica. O crescimento destas nanoestruturas pelo método Stranski-Krastanov também induz a geração da chamada wetting layer (WL), que pode deteriorar diversas propriedades optoeletrônicas de pontos quânticos. Uma alternativa viável para …
Dentre as diversas técnicas ópticas utilizadas na análise de materiais, uma das mais conhecidas é chamada espectroscopia Raman. O método de Raman consiste na análise da luz espalhada inelásticamente por um espécime após sua excitação através de uma fonte de luz, cujo espalhamento pode conter informações a respeito tanto da parte estrutural como eletrônica da estrutura. As principais vanta…
Recentes avanços nas técnicas de crescimento envolvendo nanoestruturas baseadas em antimônio têm despertado considerável interesse em incorporá-las nos sistemas tradicionais de semicondutores III-V. Essa busca é impulsionada por sua capacidade de deslocar emissões ópticas para os comprimentos de onda de telecomunicações, reduzir strain, melhorar efeitos de acoplamento spin-órbita e permit…
Esforços recentes em melhorar as técnicas de crescimentos de nanoestruturas baseadas em antimônio têm permitido sua incorporação nos tradicionais sistemas de semicondutores da família III-V, abrindo um amplo campo de investigações para a Física da Matéria Condensada. Sua relevância reside no deslocamento da emissão óptica em direção ao comprimento de onda das telecomunicações (1,2 - 1,6 ¼…
Este projeto é dedicado ao desenvolvimento de interfaces spin-fótons para aplicações a curto e longo prazo. Para o desenvolvimento controlado da interação entre um qubit de spin estacionário e fótons, usaremos sistemas de pontos quânticos semicondutores embebidos em cavidades com uma geometria única baseada no desenvolvimento de cavidades na forma de micropilares deterministicamente acopl…