| Processo: | 01/11323-8 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |
| Data de Início da vigência: | 01 de abril de 2002 |
| Data de Término da vigência: | 29 de fevereiro de 2004 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Fernando Iikawa |
| Beneficiário: | Paulo Freitas Gomes |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Fotoluminescência Espectroscopia Poços quânticos Semicondutores Propriedades ópticas |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Estrutura De Banda | Fotoluminescencia | Gaas/Algaas | Pocos Quanticos | Pressao | Semicondutores |
Resumo Neste projeto estudaremos a influência da pressão biaxial externa sobre estruturas de banda de energia em poços quânticos de GaAs/AIGaAs e GaAs/InGaP. A aplicação da pressão será feita com uma célula, construída no grupo, que exerce uma pressão (tração) biaxial no plano do poço quântico. As medidas serão feitas por técnicas de espectroscopia de fotoluminescência e fotoluminescência de excitação. (AU) | |
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa: | |
| Mais itensMenos itens | |
| TITULO | |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): | |
| Mais itensMenos itens | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |