Interações eletrônicas em compostos epitaxiais III-V e IV-VI

Resumo

a) Semicondutores IH-V. Em heteroestruturas InP/InxGa1-xAs, a presença de uma camada interfacial entre o InP crescido sobre InGaAs degrada as propriedades ópticas e de transporte da estrutura. Para estabelecer as condições de crescimento que resultem em interfaces abruptas, são necessários métodos confiáveis de caracterização das camadas interfaciais. Neste trabalho, desenvolveremos um método de caracterização baseado em medidas de magneto-transporte que permite a caracterização de camadas interfaciais finas (< 15 A) com boa precisão. Este método está fundamentado no indício de que uma parte dos átomos de dopantes que incidem nas camadas interfaciais deixa de ser eletricamente ativa. As razões dessa inatividade elétrica precisam ser esclarecidas e pretendemos investigar se a principal causa dessa perda de dopantes ativos se deve à menor taxa de incorporação de dopantes ou à formação de defeitos profundos nas camadas interfaciais. b) Semicondutores IV-VI. Em semicondutores IV-VI, propomos fazer as caracterizações ópticas e estudar os efeitos do confinamento eletrônico sobre a interação entre portadores livres e íons magnéticos em heteroestruturas IV-VI crescidas por MBE. (AU)