Estudos do efeito do dopante (Pb, Cd e Zn) nas características semicondutoras de filmes eletrodepositados de selênio

Resumo

Neste projeto serão estudados os efeitos da dopagem de filmes finos de selênio, obtidos por eletrodeposição sobre eletrodos de ouro e platina, com átomos de Pb, Zn e Cd, nas propriedades semicondutoras destes filmes. Os filmes finos de Se serão obtidos por voltametria linear e por cronoamperometria a partir de eletrólitos contendo SeO2 e diferentes ácidos. As condições de concentrações, tempos de deposição e pH serão avaliadas de forma a se obter filmes que apresentem maior homogeneidade possível. Estes filmes serão caracterizados por voltametria cíclica (cargas), microscopia de força atômica (morfologia), microbalança eletroquímica de cristal de quartzo (variações de massa), difração de raios-X (caráter amorfo), XPS (composição), impedância faradaica (resistência de transferência de carga, potencial de banda plana) e absorção na região do UV-vis (band gap). Átomos de Pb, Zn e Cd serão inseridos nos filmes de Se por deposição em regime de subtensão. A quantidade de dopante e os efeitos nas propriedades dos filmes serão avaliados. Para isto, voltametrias cíclicas serão realizadas na região de deposição em subtensão de Pb, Zn e Cd e as cargas envolvidas serão avaliadas. Após as inclusões, os filmes dopados serão novamente caracterizados visando determinar a influência dos dopantes nas suas propriedades. Para isto, as técnicas descritas acima serão novamente utilizadas. (AU)