Utilização da eletrodeposição em regime de subtensão na dopagem de filmes semicondutores eletrodepositados de selênio

Resumo

Neste projeto será estudado o efeito da dopagem de filmes de selênio com ad-átomos de Bi, Pb e Cu nas propriedades semicondutoras desses filmes. Os filmes de selênio serão obtidos por cronoamperometria em eletrólitos contendo SeO2 e diferentes ácidos. Estes filmes serão depositados em ouro policristalino (ou quartzo recoberto com ouro policristalino, quando utilizado a microbalança eletroquímica de cristal de quartzo). As condições de concentração, temperatura e tempo de deposição serão avaliadas a fim de se obter filmes com a maior homogeneidade e cristalinidade possíveis. Estes filmes serão caracterizados por voltametria cíclica (recobrimento e caracterização do perfil voltamétrico), microscopia de força atômica e microscopia eletrônica de varredura (morfologia), microbalança eletroquímica de cristal de quartzo (variações de massa), difração de raios-X (caráter amorfo ou cristalino e identificação de fases), espectroscopia de impedância eletroquímica (potencial de banda plana, tipo de semicondutor e densidade de doador ou receptor) e absorção no espectro ultravioleta-visível ou espectroscopia de refletância difusa (band gap). Em seguida, os ad-átomos de Bi, Pb e Cu serão depositados em regime de subtensão sobre o filme de selênio. A quantidade de ad-átomos e os efeitos sobre as propriedades do filme serão avaliados. Para isso, a voltametria cíclica será utilizada para investigar a faixa de potencial em que ocorre a deposição em regime de subtensão dos metais sobre o filme de selênio. Após a deposição, os filmes serão novamente caracterizados, de modo a determinar a influência dos ad-átomos em suas propriedades, usando as técnicas descritas acima.