| Processo: | 07/56231-0 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de abril de 2008 |
| Data de Término da vigência: | 31 de janeiro de 2009 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Valmir Antonio Chitta |
| Beneficiário: | Marcio Peron Franco de Godoy |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Nitretos Semicondutores Implantação iônica Ferromagnetismo |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Ferromagnetismo | Implantacao Ionica | Nitretos | Semicondutores |
Resumo Propomos investigar as propriedades de filmes a base de nitretos cúbicos implantados com íons magnéticos (metais de transição). A fase cúbica nestes materiais é metaestável e apresenta gap largo, boa transparência óptica e é esperado que a temperatura de Curie seja superior à temperatura ambiente. Estudos no grupo já demonstraram experimentalmente que o ferromagnetismo ocorre acima de 300 K para GaN implantado com Mn. A proposta é o estudo deste material implantado, além do Mn, opcionalmente com Fe ou Cr. Adicionalmente podem ser introduzidos íons de C ou Mg como forma de favorecer o ferromagnetismo induzido por portadores. Através do estudo sistemático das propriedades ópticas e magnéticas, podemos traçar um perfil destes sistemas de semicondutores magnéticos diluídos baseando-se em GaN e posteriormente AIN e ligas ternárias de AIGaN. A conclusão deste estudo é importante para o posterior estudo de heteroestruturas baseadas neste sistema. (AU) | |
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