Bolsa 16/14011-2 - Isolantes topológicos, Estrutura eletrônica

Processo:	16/14011-2
Modalidade de apoio:	Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência:	01 de novembro de 2016
Data de Término da vigência:	31 de outubro de 2019
Área de conhecimento:	Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada

Pesquisador responsável:	Adalberto Fazzio
Beneficiário:	Marcio Jorge Teles da Costa

Instituição Sede:	Centro de Engenharia, Modelagem e Ciências Sociais Aplicadas (CECS). Universidade Federal do ABC (UFABC). Ministério da Educação (Brasil). Santo André , SP, Brasil

Assunto(s):	Isolantes topológicos Estrutura eletrônica Teoria do funcional da densidade
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:	Dft \| electronic structure \| Topological Insulators \| Estrutura Electônica
Resumo Neste projeto pretendemos investigar como se comportam os estados eletrônicos na interface entre dois isolates topológicos (TI). Isolantes topológicos são caracterizados pela existência de estados metálicos, localizados na interface, protegidos topologicamente. Estes estados tem propriedades de transporte não triviais sendo robustos contra perturabações que respeitem a simetria de invesão temporal. Atualmente inúmeros grupos tem se dedicado a investigação de isolantes topológicos, porém pouco tem sido feito para ententer como estes estados metálicos interagem na interface TI-TI. Para materiais 3D, a interface é uma superfície, temos várias perguntas, como variam as propriedades com a espessura do filme? Qual é a textura de spin?, há mudanças dependendo da forma que interagem? Estas questões se encontram em aberto e tem sido pouco exploradas tanto do ponto de vista teórico quanto experimental. É fundamental que estas questões sejam compreendidas com objetivo de descobrir novos matérias para spintrônica e outras aplicações. (AU)

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Publicações científicas (9)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

FOCASSIO, BRUNO; SCHLEDER, GABRIEL R.; PEZO, ARMANDO; COSTA, MARCIO; FAZZIO, ADALBERTO. Dual topological insulator device with disorder robustness. Physical Review B, v. 102, n. 4, JUL 14 2020. (17/02317-2, 16/14011-2, 19/04527-0, 17/18139-6)

PEZO, ARMANDO; LIMA, MATHEUS P.; COSTA, MARCIO; FAZZIO, ADALBERTO. Electronic transport properties of MoS2 nanoribbons embedded in butadiene solvent. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 21, n. 21, p. 11359-11366, JUN 7 2019. (17/02317-2, 16/14011-2)

COSTA, MARCIO; SCHLEDER, GABRIEL R.; NARDELLI, MARCO BUONGIORNO; LEWENKOPF, CAIO; FAZZIO, ADALBERTO. Toward Realistic Amorphous Topological Insulators. Nano Letters, v. 19, n. 12, p. 8941-8946, DEC 2019. (17/18139-6, 17/02317-2, 16/14011-2)

PEZO, ARMANDO; FOCASSIO, BRUNO; SCHLEDER, GABRIEL R.; COSTA, MARCIO; LEWENKOPF, CAIO; FAZZIO, ADALBERTO. Disorder effects of vacancies on the electronic transport properties of realistic topological insulator nanoribbons: The case of bismuthene. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 5, n. 1, JAN 19 2021. (17/02317-2, 19/04527-0, 17/18139-6, 16/14011-2)

FOCASSIO, BRUNO; SCHLEDER, GABRIEL R.; COSTA, MARCIO; FAZZIO, ADALBERTO; LEWENKOPF, CAIO. Structural and electronic properties of realistic two-dimensional amorphous topological insulators. 2D MATERIALS, v. 8, n. 2, APR 2021. (17/18139-6, 16/14011-2, 17/02317-2, 19/04527-0)

FOCASSIO, BRUNO; SCHLEDER, GABRIEL R.; PEZO, ARMANDO; COSTA, MARCIO; FAZZIO, ADALBERTO. Dual topological insulator device with disorder robustness. PHYSICAL REVIEW B, v. 102, n. 4, p. 6-pg., 2020-07-14. (17/02317-2, 19/04527-0, 16/14011-2, 17/18139-6)

SCHLEDER, GABRIEL R.; PADILHA, ANTONIO C. M.; ACOSTA, CARLOS MERA; COSTA, MARCIO; FAZZIO, ADALBERTO. From DFT to machine learning: recent approaches to materials science-a review. JOURNAL OF PHYSICS-MATERIALS, v. 2, n. 3, p. 46-pg., 2019-07-01. (18/11856-7, 18/05565-0, 17/02317-2, 16/14011-2, 17/18139-6)

PEZO, ARMANDO; ZANOLLI, ZEILA; WITTEMEIER, NILS; ORDEJON, PABLO; FAZZIO, ADALBERTO; ROCHE, STEPHAN; GARCIA, JOSE H.. Manipulation of spin transport in graphene/transition metal dichalcogenide heterobilayers upon twisting. 2D MATERIALS, v. 9, n. 1, JAN 2022. (16/14011-2)

COSTA, MARCIO; SCHLEDER, GABRIEL R.; MERA ACOSTA, CARLOS; PADILHA, ANTONIO C. M.; CERASOLI, FRANK; BUONGIORNO NARDELLI, MARCO; FAZZIO, ADALBERTO. Discovery of higher-order topological insulators using the spin Hall conductivity as a topology signature. NPJ COMPUTATIONAL MATERIALS, v. 7, n. 1, APR 12 2021. (17/02317-2, 16/14011-2, 17/18139-6, 18/11856-7, 18/05565-0)

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